Almacenamiento interno - Discos sólidos - Biwin - Biwin ssd m350 1tb pcie gen4×4 5200 mb-s
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Samsung 990 pro ssd 1tb pcie 4.0 nvme m.2
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| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9P1T0BW |
| Tipo | - SSD |
| Capacidad | - 1TB |
| Formato | - M.2 2280 |
| Conexión | - PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 |
| Características | - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm - Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive) - Soporte Modo Suspensión en dispositivo - Lectura secuencial: 7,450 MB/s - Escritura secuencial: 6,900 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,200,000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS - Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS Entorno - Consumo energético medio: 5.4- 7.8 W - Consumo energético (Idle): Max. 50 mW - Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 % - Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF) - Temperatura: 0 - 70ºC - Golpes: 1,500 G & 0.5 ms Dimensiones y peso - 80 x 22 x 2.3 mm - 9.0g |
| Fecha de revisión | 13-12-2022 por RTY |
MZ-V9P1T0BW
19 Artículos
Ficha técnica
- Interfaz
- PCI Express 4.0
PCI Express 4.0 - Ancho
- 80 mm
- Profundidad
- 2,3 mm
- Altura
- 22 mm
- Peso
- 9 g
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 70 °C
- Tiempo medio entre fallos
- 1500000 h
- Tipo de embalaje
- Caja
- Componente para
- PC
- Máxima temperatura
- 70 °C
- Consumo de energía (max)
- 7,8 W
- SDD, capacidad
- 1 TB
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Vibración operativa
- 1500 G
- Tipo de memoria
- V-NAND MLC
- Voltaje de operación
- 3,3 V
- NVMe
- Si
- Encriptación de hardware
- Si
- Velocidad de lectura
- 7450 MB/s
- Velocidad de escritura
- 6900 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB)
- 1200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB)
- 1550000 IOPS
- Soporte S.M.A.R.T.
- Si
- Soporte TRIM
- Si
- Consumo de energía (promedio)
- 5,4 W
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES
- Versión NVMe
- 2.0
- Carriles datos de interfaz PCI Express
- x4
- Función DevSleep
- Si
- Cantidad de memoria caché DDR externa
- 1024 MB
- Memoria caché DDR externa
- Si
- Periodo de garantía
- 5 año(s)
- Temperatura mínima de operación
- 0 °C
- Voltaje de funcionamiento
- 3.3 V
Referencias específicas
Nuevo
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