Marca	Samsung
Modelo	MZ-V9P1T0CW
Tipo	- SSD
Capacidad	- 1TB
Formato	- M.2 2280
Conexión	- PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Características	- Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm - Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive) - Soporte Modo Suspensión en dispositivo - Lectura secuencial: 7,450 MB/s - Escritura secuencial: 6,900 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,200,000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS - Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS Entorno - Consumo energético medio: Promedio 5,4 W Máximo 7,8 W (modo ráfaga) - Consumo energético (Idle): Max. 50 mW - Consumo de energía (reposo del dispositivo): máx. 5 mW - Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 % voltaje permitido - Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF) - Temperatura: 0 - 70ºC - Golpes: 1,500 G & 0.5 ms Dimensiones y peso - 80 x 24.3 x 8.2 mm - 28.0g
Fecha de revisión	02-05-2023 por RTY

Interfaz	PCI Express 4.0
Ancho	80 mm
Profundidad	8,2 mm
Altura	24,3 mm
Peso	28 g
Intervalo de temperatura operativa	0 - 70 °C
Tiempo medio entre fallos	1500000 h
Tipo de embalaje	Envase para colgar
Componente para	PC
Software incluido	Samsung Magician
Consumo de energía (max)	7,8 W
Interfaz	PCI Express 4.0
Retroiluminación	Si
Golpes en funcionamiento	1500 G
SDD, capacidad	1 TB
Factor de forma de disco SSD	M.2
Tipo de memoria	V-NAND MLC
Consumo de energía (espera)	0,05 W
Voltaje de operación	3,3 V
NVMe	Si
Encriptación de hardware	Si
Velocidad de lectura	7450 MB/s
Velocidad de escritura	6900 MB/s
Soporte S.M.A.R.T.	Si
Soporte TRIM	Si
Consumo de energía (promedio)	5,4 W
Algoritmos de seguridad soportados	256-bit AES
Versión NVMe	2.0
Tamaño de la unidad SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)

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