Con el controlador y el flash de alta calidad, GIGABYTE M30 SSD puede alcanzar hasta 3500 MB / s de lectura secuencial y hasta 3000 MB / s de escritura secuencial
Además, viene con DDR3L DRAM, SLC Cache y corrección de errores LDPC avanzada para mejorar el rendimiento. Es una opción ideal para jugadores, entusiastas de la PC y creadores de contenido
Características Rompiendo Limitaciones GIGABYTE M30 SSD ofrece un rendimiento excepcional: hasta 3500 MB / s de lectura secuencial y hasta 3000 MB / s de escritura secuencial. Equipado con una combinación robusta de controlador y 3D NAND, M30 es hasta 6 veces más rápido que las unidades de estado sólido SATA III y alcanza el límite de PCIe Gen3x4 . Diseño de PCB de cobre ultra duradero de 2 oz Bajo una carga de trabajo de alto estrés, la mayoría de los controladores SSD pueden alcanzar un pico de más de 70 º C. En esta situación, las unidades comenzarán a ralentizarse para evitar fallar. Cuanto más caliente funciona su SSD, más rápido se desgasta el flash dentro de la unidad. GIGABYTE M30 SSD aplicado con diseño de PCB de cobre de 2 oz, que ayuda a disipar el calor y evitar estrangulamientos
¿Por qué es tan importante mantener un SSD a temperaturas más bajas? Una temperatura de trabajo más alta puede provocar la pérdida de datos. El factor de degradación de la pérdida de datos podría ser cien veces mayor. Con PCB de coppetr de 2 oz, GIGABYTE M30 SSD puede operar a temperaturas de trabajo más bajas para mejorar la confiabilidad del almacenamiento de datos. Además, los SSD pueden funcionar con un rendimiento extremo durante más tiempo
Temperatura más baja, mejor rendimiento GIGABYTE M30 SSD no solo ofrece un rendimiento increíble, sino que también maneja cargas de trabajo pesadas sin sobrecalentamiento. Gracias a la solución térmica de eficiencia mejorada mediante el uso de PCB de cobre de 2 oz, la SSD M30 de GIGABYTE reduce las temperaturas de trabajo en un 16% en comparación con las SSD normales sin disipador de calor
Caché DRAM DDR3L externo GIGABYTE M30 SSD está equipado con caché DRAM DDR3L de alta velocidad y no necesita reservar espacio de sobreaprovisionamiento, mejorando así el rendimiento de lectura / escritura aleatoria. Esto significa que los usuarios pueden utilizar la capacidad total de la unidad. Además, la DRAM externa puede ser un búfer entre el controlador y la memoria flash NAND para un rendimiento sostenido cuando la capacidad está ocupada por más y más datos
Caja de herramientas SSD La caja de herramientas SSD recientemente actualizada es un software que brinda a los usuarios una descripción general del estado de SSD y varios aspectos, como el nombre del modelo, la versión de FW, el estado de salud y la temperatura del sensor. Además, los usuarios pueden borrar todos los datos con la función Secure Erase. Puede descargar SSD Tool Box desde el enlace
Especificaciones: Interface. PCIe 3.0x4, NVMe 1.3. Form Factor. M.2 2280. Total Capacity. 1TB. NAND. 3D TLC NAND Flash. External DDR Cache. DDR3L 2Gb. Sequential Read speed. Up to 3500 MB/s. Sequential Write speed. Up to 3000 MB/s. Random Read IOPS. up to 308K. Random Write IOPS. up to 332K. Dimension. 22 x 2.3 x 80 mm. Mean time between failure (MTBF). 2 million hours. Power Consumption (Active). Average: R: 5.9W, W:5W. Power Consumption (Idle). L0/L0s/L1: 900mw L1.2 < 3mw. Temperature (Operating). 0ºC to 70ºC. Temperature (Storage). -40ºC to 85ºC
Garantia: 36 meses
Interfaz | PCI Express 3.0 |
Ancho | 22 mm |
Profundidad | 80 mm |
Altura | 2,3 mm |
Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
Tiempo medio entre fallos | 2000000 h |
Componente para | PC/ordenador portátil |
Código de Sistema de Armomización (SA) | 84717070 |
Máxima temperatura | 70 °C |
Intervalo de temperatura de almacenaje | -40 - 85 °C |
Interfaz | PCI Express 3.0 |
SDD, capacidad | 1 TB |
Factor de forma de disco SSD | M.2 |
Tipo de memoria | TLC 3D NAND |
Consumo de energía (lectura) | 5,9 W |
Consumo de energía (escritura) | 5 W |
NVMe | Si |
Velocidad de lectura | 3500 MB/s |
Velocidad de escritura | 3000 MB/s |
Lectura aleatoria (4KB) | 308 IOPS |
Escritura aleatoria (4KB) | 332 IOPS |
Versión NVMe | 1.3 |
Carriles datos de interfaz PCI Express | x4 |
Corriente | 0,9 A |
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