Ssd Samsung 500 Gb 860 Evo 550/520mbs Mz-76e500b/eu

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Samsung 860 EVO. SDD, capacidad: 500 GB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 550 MB/s, Velocidad de escritura: 520 MB/s, Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s, Componente para: PC/ordenador portátil
Características
Factor de forma de disco SSD2.5"
SDD, capacidad500 GB
InterfazSerial ATA III
Tipo de memoriaMLC
Componente paraPC/ordenador portátil
Encriptación de hardware
Velocidad de lectura550 MB/s
Velocidad de escritura520 MB/s
Tipo de flash NANDMLC (Multi Level Cell)
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Velocidad de transferencia de datos6 Gbit/s
Tipo de controladorSamsung MJX
Función DevSleep
Soporte S.M.A.R.T.
Soporte TRIM
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Control de energía
Consumo de energía (lectura)2,2 W
Consumo de energía (escritura)2,2 W
Consumo de energía (max)4 W
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-45 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje5 - 95%
Vibración no operativa20 G
Golpe (fuera de operación)1500 G
Peso y dimensiones
Ancho100 mm
Profundidad6,8 mm
Altura69,8 mm
Peso50 g
Empaquetado
Guía de configuración rápida
Tipo de embalajeCaja
Otras características
Color del productoNegro
Ancho 100 mm
Profundidad 6,8 mm
Altura 69,8 mm
Peso 50 g
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Color del producto Negro
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
Tipo de embalaje Caja
Componente para PC/ordenador portátil
Velocidad de transferencia de datos 6 Gbit/s
Intervalo de temperatura de almacenaje -45 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento 5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje 5 - 95%
Consumo de energía (max) 4 W
Guía de configuración rápida Si
Interfaz Serial ATA III
Golpe (fuera de operación) 1500 G
SDD, capacidad 500 GB
Factor de forma de disco SSD 2.5"
Vibración no operativa 20 G
Tipo de memoria MLC
Consumo de energía (lectura) 2,2 W
Consumo de energía (escritura) 2,2 W
Encriptación de hardware Si
Velocidad de lectura 550 MB/s
Velocidad de escritura 520 MB/s
Soporte S.M.A.R.T. Si
Soporte TRIM Si
Tipo de controlador Samsung MJX
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Tipo de flash NAND MLC (Multi Level Cell)
Función DevSleep Si
Categoría: Discos duros ssd.
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